Samsung демонстрирует 3-нм чип MBCFET | nene.com.ua

Главная → Технологии → Samsung демонстрирует 3-нм чип MBCFET

2021-03-14 11:21:04, автор: Татьяна Гусева

Samsung демонстрирует 3-нм чип MBCFET

Samsung Electronics и TSMC в настоящее время планируют развивать исследования и разработки в области 3-нм техпроцесса. Согласно сообщениям, на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) IEEE инженеры Samsung поделились деталями производства грядущего 3-нм чипа GAE MBCFET.

Транзисторы GAAFET (полнокольцевые полевые транзисторы с затвором) имеют две формы с точки зрения структуры, и они представляют собой обновленную версию текущего FinFET. Samsung заявила, что традиционный процесс GAAFET использует три слоя нанопроволок для создания транзисторов, а затвор относительно тонкий. Кроме того, в процессе изготовления микросхем Samsung MBCFET для создания транзисторов используются нанолисты. В настоящее время Samsung уже зарегистрировала товарный знак MBCFET. В Samsung заявили, что оба метода позволяют достичь 3 нм, но это зависит от конкретной конструкции.
Идея первого транзистора GAAFET была предложена еще в 1988 году. Эта технология позволяет разработчикам точно контролировать производительность и потребляемую мощность, регулируя ширину канала транзистора. Более широкие материалы обеспечивают более высокую производительность при большой мощности; в то время как более тонкие материалы могут снизить энергопотребление, но это влияет на производительность.
Samsung продемонстрировала принципы процесса 3GAE в 2019 году. По заявлению компании, по сравнению с технологией 7LPP, 3GAE может повысить производительность на 30%. Также достигается снижение мощности на 50% и увеличение плотности транзисторов на 80%.
Samsung и TSMC - единственные две компании, у которых есть возможность производить чипы по 5-нм техпроцессу. Тем не менее, Samsung, похоже, находится в тени TSMC, но ведет хорошую борьбу. Согласно последним сообщениям, Samsung Electronics пытается догнать TSMC. Южнокорейский производственный гигант планирует начать серийное производство 3-нм чипов в 2022 году.
Исполнительный директор Samsung Electronics Пак Джэ Хонг сказал на недавнем мероприятии, что компания поставила перед собой цель начать массовое производство 3-нанометровых чипов в 2022 году. Исполнительный директор сообщил, что компания уже разрабатывает инструменты предварительного проектирования с крупными партнерами. В настоящее время он инвестировал 116 миллиардов долларов в бизнес по производству микросхем нового поколения. Это включает производство микросхем для внешних клиентов.
Лидер Samsung Electronics Ли Цзайён ранее заявлял, что компания планирует использовать новейшую 3-нанометровую технологическую технологию Gate-all-around (GAA), которая разрабатывается для производства передовых микросхем и предоставления их клиентам по всему миру.
Как все мы знаем, компания начала массовое производство 5-нм чипов и разрабатывает 4-нм техпроцесс. В сегменте литья микросхем Samsung Electronics в настоящее время занимает второе место. Он уступает только TSMC, который занимает первое место с долей рынка 52% по состоянию на прошлый год.
Что касается конкуренции между TSMC и Samsung Electronics, основатель TSMC Чжан Чжунмоу считает, что Samsung Electronics - очень сильный противник. TSMC на данный момент имеет преимущество, но война между TSMC и Samsung определенно не окончена.

Вы хотите обсудить новость Samsung демонстрирует 3-нм чип MBCFET, или поделиться с друзьями!
Используйте соцсети: Facebook Twitter

Еще свежие новости:
Первоначальный запас iPhone 13 серии достигнет 100 миллионов единиц
2021-04-20 12:18:34
Samsung откроет заводы в США в мае - инвестирует 17 миллиардов долларов
2021-04-20 12:18:04
Samsung Galaxy Z Fold 3 и Galaxy Z Flip 2 сохранят защиту от пыли и воды
2021-04-20 12:17:32
RAD Data Communications Украина
2021-04-19 13:44:46
Экспозиция эскиза дизайна iPhone 13 Pro Max: корпус становится толще
2021-04-19 11:10:52
Предварительная продажа версии Polar Fox Alpha S Huawei HI начинается с 39000 долларов
2021-04-19 11:09:58
Остановка завода TSMC 14A приведет к убыткам в размере более 28 миллионов долларов.
2021-04-19 11:09:09
Объявлены индивидуальные параметры процессора Ryzen для ноутбука Microsoft Surface 4
2021-04-19 11:08:16
LG Rollable получила сертификат NFC
2021-04-19 11:07:49
Рендеринг Infinix Note 10 Pro подтверждает настройку Penta-Camera
2021-04-19 11:06:41

Вернуться на главную страницу.

телеком оборудование
© 2021, Новости компьютерной техники.
nene.com.ua. All rights reserved.
Карта сайта. Условия использования сайта.
victoria's secret