• Nene новости
  • Новости компьютерной техники.

  • Технологии
  • Космос
  • Техника
  • Компьютеры
  • Смартфоны
  • Гаджеты
  • Наука
  • Телеком
  • Главная → Технологии → Samsung демонстрирует 3-нм чип MBCFET
  • 2021-03-14 11:21:04, автор: Татьяна Гусева

    Samsung демонстрирует 3-нм чип MBCFET

    Samsung демонстрирует 3-нм чип MBCFET

    Samsung Electronics и TSMC в настоящее время планируют развивать исследования и разработки в области 3-нм техпроцесса. Согласно сообщениям, на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) IEEE инженеры Samsung поделились деталями производства грядущего 3-нм чипа GAE MBCFET.

    Транзисторы GAAFET (полнокольцевые полевые транзисторы с затвором) имеют две формы с точки зрения структуры, и они представляют собой обновленную версию текущего FinFET. Samsung заявила, что традиционный процесс GAAFET использует три слоя нанопроволок для создания транзисторов, а затвор относительно тонкий. Кроме того, в процессе изготовления микросхем Samsung MBCFET для создания транзисторов используются нанолисты. В настоящее время Samsung уже зарегистрировала товарный знак MBCFET. В Samsung заявили, что оба метода позволяют достичь 3 нм, но это зависит от конкретной конструкции.
    Идея первого транзистора GAAFET была предложена еще в 1988 году. Эта технология позволяет разработчикам точно контролировать производительность и потребляемую мощность, регулируя ширину канала транзистора. Более широкие материалы обеспечивают более высокую производительность при большой мощности; в то время как более тонкие материалы могут снизить энергопотребление, но это влияет на производительность.
    Samsung продемонстрировала принципы процесса 3GAE в 2019 году. По заявлению компании, по сравнению с технологией 7LPP, 3GAE может повысить производительность на 30%. Также достигается снижение мощности на 50% и увеличение плотности транзисторов на 80%.
    Samsung и TSMC - единственные две компании, у которых есть возможность производить чипы по 5-нм техпроцессу. Тем не менее, Samsung, похоже, находится в тени TSMC, но ведет хорошую борьбу. Согласно последним сообщениям, Samsung Electronics пытается догнать TSMC. Южнокорейский производственный гигант планирует начать серийное производство 3-нм чипов в 2022 году.
    Исполнительный директор Samsung Electronics Пак Джэ Хонг сказал на недавнем мероприятии, что компания поставила перед собой цель начать массовое производство 3-нанометровых чипов в 2022 году. Исполнительный директор сообщил, что компания уже разрабатывает инструменты предварительного проектирования с крупными партнерами. В настоящее время он инвестировал 116 миллиардов долларов в бизнес по производству микросхем нового поколения. Это включает производство микросхем для внешних клиентов.
    Лидер Samsung Electronics Ли Цзайён ранее заявлял, что компания планирует использовать новейшую 3-нанометровую технологическую технологию Gate-all-around (GAA), которая разрабатывается для производства передовых микросхем и предоставления их клиентам по всему миру.
    Как все мы знаем, компания начала массовое производство 5-нм чипов и разрабатывает 4-нм техпроцесс. В сегменте литья микросхем Samsung Electronics в настоящее время занимает второе место. Он уступает только TSMC, который занимает первое место с долей рынка 52% по состоянию на прошлый год.
    Что касается конкуренции между TSMC и Samsung Electronics, основатель TSMC Чжан Чжунмоу считает, что Samsung Electronics - очень сильный противник. TSMC на данный момент имеет преимущество, но война между TSMC и Samsung определенно не окончена.

    Вы хотите обсудить новость Samsung демонстрирует 3-нм чип MBCFET, или поделиться с друзьями!
    Используйте соцсети: Facebook   Twitter

    Еще свежие новости:

  • ВЫПУЩЕН ФИТНЕС-БРАСЛЕТ GARMIN VIVOSMART ЗА 150 ДОЛЛАРОВ ВЫПУЩЕН ФИТНЕС-БРАСЛЕТ GARMIN VIVOSMART ЗА 150 ДОЛЛАРОВ
    2022-04-22 14:28:53

    СМАРТФОН XIAOMI CIVI 1S ДЕБЮТИРУЕТ НОВЫЙ ЧИПСЕТ QUALCOMM SNAPDRAGON СМАРТФОН XIAOMI CIVI 1S ДЕБЮТИРУЕТ НОВЫЙ ЧИПСЕТ QUALCOMM SNAPDRAGON
    2022-04-21 15:33:31

    IPHONE 13 MINI ПРЕВОСХОДИТ IPHONE SE 2022 IPHONE 13 MINI ПРЕВОСХОДИТ IPHONE SE 2022
    2022-04-04 17:01:11

    В IPHONE 14 СЕРИИ НЕ БУДЕТ TOUCH ID ПОД ЭКРАНОМ В IPHONE 14 СЕРИИ НЕ БУДЕТ TOUCH ID ПОД ЭКРАНОМ
    2022-04-01 18:20:56

    ДИЗАЙН СМАРТФОНА SAMSUNG GALAXY M53 ДИЗАЙН СМАРТФОНА SAMSUNG GALAXY M53
    2022-03-31 11:05:22

    Apple сократит производство IPHONE SE 5G на 20 процентов Apple сократит производство IPHONE SE 5G на 20 процентов
    2022-03-30 16:36:31

    ТЕСТИРОВАНИЯ IPHONE 14 ТЕСТИРОВАНИЯ IPHONE 14
    2022-03-29 18:10:00

    СМАРТФОН SAMSUNG GALAXY M53 LITE ПОЯВЛЯЕТСЯ НА СЕРТИФИКАЦИИ BLUETOOTH SIG СМАРТФОН SAMSUNG GALAXY M53 LITE ПОЯВЛЯЕТСЯ НА СЕРТИФИКАЦИИ BLUETOOTH SIG
    2022-03-26 16:29:30

    СМАРТФОН OPPO FIND X5 PRO ПОЛУЧИЛ «УМНЫЙ» КОРПУС ОХЛАЖДЕНИЯ ICE-SKIN СМАРТФОН OPPO FIND X5 PRO ПОЛУЧИЛ «УМНЫЙ» КОРПУС ОХЛАЖДЕНИЯ ICE-SKIN
    2022-03-25 10:59:20

    IPHONE 15 PRO КАМЕРА ПОД ЭКРАНОМ IPHONE 15 PRO КАМЕРА ПОД ЭКРАНОМ
    2022-03-23 11:58:40

    Вернуться на главную страницу.

    • Технологии новости:

  • Последние новости:

  • Apple сократит производство IPHONE SE 5G на 20 процентов

    Apple сократит производство IPHONE SE 5G на 20 процентов
  • ТЕСТИРОВАНИЯ IPHONE 14

    ТЕСТИРОВАНИЯ IPHONE 14
  • IPHONE 13 MINI ПРЕВОСХОДИТ IPHONE SE 2022

    IPHONE 13 MINI ПРЕВОСХОДИТ IPHONE SE 2022
  • СМАРТФОН XIAOMI CIVI 1S ДЕБЮТИРУЕТ НОВЫЙ ЧИПСЕТ QUALCOMM SNAPDRAGON

    СМАРТФОН XIAOMI CIVI 1S ДЕБЮТИРУЕТ НОВЫЙ ЧИПСЕТ QUALCOMM SNAPDRAGON
  • ДИЗАЙН СМАРТФОНА SAMSUNG GALAXY M53

    ДИЗАЙН СМАРТФОНА SAMSUNG GALAXY M53
  • Технологии
  • Космос
  • Техника
  • Компьютеры
  • Смартфоны
  • Гаджеты
  • Наука
  • Телеком
  • фронтальный погрузчик
    © 2022, Новости компьютерной техники.
    nene.com.ua. All rights reserved.
    Карта сайта. Условия использования сайта.